近日，中国科学院半导体研究所半导体超强晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者北京大学教授徐洪起等在《纳米快报》（NanoLetters）上公开发表了高质量立式InSb二维单晶纳米片的研究成果。 在III-V族半导体中，InSb化合物具备最窄禁带宽度、最低电子迁移率、大于有效地质量和仅次于g因子，是制取高速低功耗电子器件、红外光电子器件及展开磁矩电子学研究与流形量子计算出来等前沿物理探寻的理想材料。由于InSb具备晶格常数大以及固有的n型导电性特征，无法寻找适合衬底外延生长，一般来说人们使用缓冲器层技术。
然而，晶格失配引发的晶格缺失不会沿着缓冲器层向下伸延，甚至伸延至缓冲器层表面，使得缓冲器层表面无法构成极致的晶格结构，从而影响外延的InSb薄膜晶体质量。半个多世纪以来，高质量InSb材料制取仍然是后遗症科学家们的难题。 赵建华团队的潘东等研究人员利用分子束外延技术，首先在Si（111）衬底上生长出有高质量纯相InAs纳米线，然后通过掌控生长温度和束流比，创造性地在一维InAs纳米线上生长出有了二维高质量InSb纳米片。
这种免除缓冲器层技术制取出来的立式InSb纳米片为显闪锌矿单晶，结构中仔细观察将近层错及孪晶等缺失。其长度和宽度超过微米量级（小于10微米）、厚度可薄至10纳米。
徐洪起等将这种高质量的二维InSb纳米片做成了场效应器件，器件具备显著的双极性特征，低温下场效应迁移率近20000cm2V-1s-1。 该项工作获得了科技部和国家自然科学基金委的经费反对。
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